退火对纳米VO2薄膜结构及电性能的影响
采用直流反应磁控溅射法在K9玻璃和DBr衬底上制备了VO2薄膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)对薄膜的形貌、晶相和分子结构等进行分析.结果表明,在氧气气氛下退火后,薄膜颗粒变得清晰可见,平均尺寸约25 nm,薄膜由非晶态结构转变为晶态的VO2,且在(011)方向出现明显择优取向生长.利用四探针对薄膜电阻温度特性的测试结果显示,薄膜经过O2气氛退火10 min后具有显著的电阻突变特征,24℃时的激活能为0.24 eV.实验结果表明.退火改变了薄膜的结构形貌,进而对薄膜的电学性能产生影响,选择合适的退火条件可以获得性能优良的VO2薄膜.
磁控溅射、VO2、相变、电学性能
22
TN305.92;O484.5(半导体技术)
国家高技术研究发展计划（863计划）;国家自然科学基金
2011-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
387-391
