VHF-PFLWD法制备μc-SiGe薄膜的研究
分别以Si2 H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜.用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究.结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2 H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序.
μc-SiGe薄膜、甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)
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O484.4(固体物理学)
国家高技术研究发展计划(863计划);国家重点基础研究发展计划(973计划);天津市应用基础与前沿技术研究计划
2011-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
382-386