基于电子散斑干涉技术快速评价半导体器件可靠性

摘要：

提出了一种基于电子散斑干涉(ESPI)技术的快速评价半导体器件可靠性的新方法.通过给试件施加序进的加速温度应力,采用ESPI技术测量其封装离面位移随温度变化的规律预测其工作寿命.对简单半导体器件样品进行了实验,得到了散斑条纹图随试件温度的变化规律,根据变化规律快速提取出了试件的激活能,推算出了试件常温条件下的工作寿命.实验结果与相关资料数据吻合,验证了本文方法的可行性.

关键词：电子散斑干涉(ESPI)、离面位移、激活能、寿命预测

所属期刊栏目：22

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：广西科学技术厅资助项目桂科基0731017

在线出版日期：2011-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：352-354