聚酰亚胺衬底CIGS薄膜附着性的改善

摘要：

为改善聚酰亚胺（PI）衬底Cu（In,Ga）Se2（CIGS）薄膜的附着性,提出在NaF沉积前预先在Mo层上蒸发沉积100nm厚的In-Ga-Se（IGS）薄膜的新掺Na工艺。结果表明：这种IGS-NaF-CIGS式新工艺可显著改善CIGS薄膜的附着,而且CIGS薄膜材料和器件特性没有显著退化;新工艺促进了NaInSe2的生成,减少了In-Se二元相的残余,但也造成薄膜电阻率的升高和电池填充因子的下降,进而导致制备的PI衬底CIGS电池的转换效率由9.8%降至9.0%。综合考虑附着性的改善和器件效率的轻微下降,新工艺利大于弊,有很好的应用前景。

关键词：Cu(In、Ga)Se2(CIGS) 聚酰亚胺(PI) Na掺入 附着性

所属期刊栏目：21

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2011-09-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1657-1659