SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制

摘要：

研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器。采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统（UHV/CVD）上生长探测器材料。测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%。无偏压时,器件的响应光谱在1.2～1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25、1.35、1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的。采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好。

关键词：锗(Ge)、光电探测器、张应变、共振增强效应

所属期刊栏目：21

分类号：TN315(半导体技术)

在线出版日期：2011-09-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1609-1613