正交实验法优化六方氮化硼薄膜的制备工艺

摘要：

采用射频磁控溅射法,在Si(100)衬底上制备了适用于声表面波(SAW)器件的氮化硼(BN)薄膜.通过正交实验法,以薄膜中六方相的纯度和取向为指标,优化了磁控溅射方法制备六方BN(h-BN)薄膜的工艺条件.利用傅里叶变换红外光(FTIR)谱和X射线衍射(XRD)谱对薄膜进行了表征,实验结果表明,溅射功率为300W、无衬底负偏压、温度为400℃和N2:At=7:8vol.%时可以制备出高纯度且高c-轴择优取向的h-BN.

关键词：氮化硼(BN)薄膜、正交实验、傅里叶交换红外光(FTIR)谱、X射线衍射(XRD)

所属期刊栏目：21

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;天津市自然基金重点资助项目

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1206-1209