GaN基LED与Si键合技术的研究

摘要：

采用金属键合技术结合激光剥离技术将CaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上.利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层.利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成CaN基LED/金属层/Si结构.用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm.X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象.

关键词：晶片键合、金属过渡层、激光剥离、GaN基LED

所属期刊栏目：21

分类号：TN312;TN383(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;福建省自然科学基金;福建省教育厅科技项目

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1202-1205