Co掺杂SiC薄膜的紫外光敏特性

摘要：

采用射频磁控溅射技术和复合靶材的疗法.在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜.在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理.通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试.结果表明,SiC薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后SiC薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3.

关键词：SiC薄膜、Co掺杂、射频磁控溅射、紫外光敏特性

所属期刊栏目：21

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60476003

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1199-1201