闪锌矿BxAl1-xAs合金的LP-MOCVD生长研究

摘要：

利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金.实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著.在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec.原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化.

关键词：BxAl1-xAs、三乙基硼(TEB)、低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)

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分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;国家国际科技合作专项基金;高等学校学科创新引智计划计划

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1193-1195