新型表面再构的倒装AlGaInP LED

摘要：

研究一种表面再构的具有全方位反光镜(ODR)结构的倒装AlGaInP半导体发光二极管(LED).通过湿法腐蚀方法再构N-AlGaInP盖层表面,形成类金字塔的表面结构,使不同角度入射的光有更多的机会出射.比较了表面再构LED与常规LED的电、光学特性,在注入电流为20 mA时,经过表面再构LED的轴向光强和输出光功率是常规LED的1.5倍,表面再构后大大提高了LED的外量子效率,减少了LED内部热量的积累,提高了LED芯片的可靠性.

关键词：AlGaInP、表面再构、提取效率、倒装

所属期刊栏目：21

分类号：TN313(半导体技术)

资助基金：国家高新技术研究发展计划资助项目2006AA03A121

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1129-1132