强激光场下非对称量子阱结构中子带间的跃迁

摘要：

选取Al0.3Ga0.7As/GaAs的非对称双量子阱结构,在有效质量近似条件下计人电子-电子相互作用所产生的Hartree势,采用转移矩阵方法研究了外加强激光场和电场作用下非对称双量子阱结构中子带间的跃迁和光吸收性质,并且详细讨论了外场对跃迁和吸收的影响.结果发现,通过调节高频激光场和电场强度,非对称双量子阱中子带间的吸收峰将发生蓝移或红移,并且吸收蜂峰值也随之发生改变,高频激光场和电场对器件的光学和电学性质具有重要的影响,对电子态的进一步调控具有重要的意义.

关键词：双量子阱、电场、激光场、光子跃迁

所属期刊栏目：21

分类号：O471.3(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;内蒙古自治区自然科学基金

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1102-1105