三元混晶膜的表面激子极化激元
运用麦克斯韦方程组和波恩-黄昆(Born-Huang)近似,对几种典型膜材料的三元混晶(TMC)膜中的表面激子极化激元进行了研究和数值计算.结果表明:TMC膜中存在两支激子极化激元表面模,与二元材料定性类似,但定量明显不同;TMC膜两支表面模频率和分裂能均随组分非线性变化;非线性程度与混晶膜厚(或频率)有关,在某些膜厚(或频率)下,可呈现非单调性.
表面激子极化激元、三元混晶(TMC)、半导体薄膜
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O471(半导体物理学)
国家自然科学基金10764003
2010-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1026-1030