Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究
采用孪生对靶直流磁控溅射的方法存室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜.制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向.腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变.在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右.将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%.
Ga掺杂ZnO(ZGO)、绒面ZGO、对靶磁控溅射、太阳电池
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TN304.054(半导体技术)
国家高技术研究发展计划资助项目2006AA05ZA22;天津市科技攻关计划资助项目06YFGPGX08000;天津市应用基础及前沿技术研究计划资助项目08JCYBJC13100
2010-11-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
1018-1020