图形蓝宝石衬底GaN基发光二极管的研制

摘要：

采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行ICP干法刻蚀C面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(PSS);然后,在PSS上进行MOCVD制作GaN基发光二极管(LED)外延片;最终,进行芯片制造和测试.PSS的基本结构为圆孔,直径为3μm,间隔为2μm.深度为864nm,呈六角形分布.与同批生长的普通蓝宝石衬底(CSS)GaN基LED芯片相比,PSS芯片的光强和光通量比CSS分别提高57.32%和28.33%(20 mA),并可减小芯片的反向漏电流,且未影响芯片的波长分布和电压特性.

关键词：GaN基发光二极管(LED)、图形蓝宝石衬底(PSS)、光提取效率、ICP

所属期刊栏目：21

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：江苏省科技计划BG2007026

在线出版日期：2010-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：359-362