InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

摘要：

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构.改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量.生长的QW结构用于1 054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好.

关键词：金属有机物化学气相淀积(MOCVD)、InGaAs/GaAs量子阱(QW)、应变缓冲层(SBL)

所属期刊栏目：21

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：重庆市科委自然科学研究项目2007BB2120

在线出版日期：2010-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：163-165