一种新型透明导电氧化物薄膜-ITO:Ta
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

一种新型透明导电氧化物薄膜-ITO:Ta

引用
利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO:Ta薄膜.研究了在不同衬底温度下ITO和ITO:Ta薄膜的光电性能.高价金属元素Ta掺杂促进薄膜晶化的同时,导致了(400)晶面择优取向的形成.低温沉积的ITO:Ta薄膜比ITO薄膜展示了较好的光电性能,Ta掺杂使得室温沉积ITO薄膜的效益指数分别由0.003×10~(-3)Ω~(-1)上升到了0.880×10~(-3)Ω~(-1).透射谱表明,参数的变化引起明显的Burstin-Moss效应,通过直接跃迁的模型研究了光学禁带的变化.

薄膜、磁控溅射、衬底温度、光学禁带宽度

21

O484.4(固体物理学)

2010-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

59-62

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电子.激光

1005-0086

12-1182

21

2010,21(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn