一种新型透明导电氧化物薄膜-ITO:Ta

摘要：

利用磁控溅射,在玻璃基底上沉积了ITO:Ta薄膜.研究了在不同衬底温度下ITO和ITO:Ta薄膜的光电性能.高价金属元素Ta掺杂促进薄膜晶化的同时,导致了(400)晶面择优取向的形成.低温沉积的ITO:Ta薄膜比ITO薄膜展示了较好的光电性能,Ta掺杂使得室温沉积ITO薄膜的效益指数分别由0.003×10~(-3)Ω~(-1)上升到了0.880×10~(-3)Ω~(-1).透射谱表明,参数的变化引起明显的Burstin-Moss效应,通过直接跃迁的模型研究了光学禁带的变化.

关键词：薄膜、磁控溅射、衬底温度、光学禁带宽度

所属期刊栏目：21

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2010-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：59-62