n-i-P型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池.采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极.通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的P层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响.结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(V_(oc))和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池.

关键词：n-i-p太阳电池、不锈钢(SS)衬底、p/ITO界面

所属期刊栏目：21

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：科技部科研项目;国家科技计划;国家高技术研究发展计划（863计划）;天津市应用基础与前沿技术研究计划;天津市科技发展规划资助项目

在线出版日期：2010-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：55-58