射频溅射ZnO作缓冲层的HVPE法生长GaN厚膜

摘要：

在低温HVPE-GaN/c-Al_2O_3模板上射频溅射ZnO作为缓冲层,采用氢化物气相外延(HVPE,hydride vapoax phase epitaxy)法外延生长了高质量的GaN 320 μm厚膜.用高分辨率双晶X射线衍射仪(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了制备的CaN厚膜特性.结果表明,GaN(0002)面的X射线摇摆曲线衍射峰半高宽(FWHM)为336.15 arcsec,穿透位错密度(TDD)为10~7 cm~(-2),外延生长的GaN厚膜晶体质量较好,可以作为自支撑GaN衬底.

关键词：氢化物气相外延(HVPE)、ZnO、自支撑衬底、横向生长、穿透位错密度

所属期刊栏目：20

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）2006AA03A144

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1602-1605