电子束沉积生长高迁移率IMO透明导电薄膜的研究

摘要：

研究了利用电子束反应蒸发技术梯度速率生长高迁移率In_2O_3:Mo(IMO)薄膜的微观结构、光学和电学性能.高纯度In_2O_3:MoO_3陶瓷靶和O_2作为源材料.首先,利用低沉积速率(约0.01 nm/s)生长一层厚度约为30 nm的IMO薄膜,作为缓冲层,其次,提高生长速率至0.04 nm/s,高速率生长IMO薄膜.薄膜厚度约50nm.典型薄膜电阻率ρ约为2.5×10~(-4) Ωcm.方块电阻Rs约为22.5 Ω,载流子浓度n～5.8×10~(20) cm~(-3),电子迁移率μ约为47.1 cm~2V~(-1)s~(-1),可见光和近红外区域平均透过率约为80%.获得的IMO薄膜光电性能和直接利用低速率生长的薄膜特性相当或更好,并且极大地降低了薄膜生长时间.

关键词：电子束蒸发技术、In_2O_3:Mo(IMO)薄膜、高迁移率、太阳电池

所属期刊栏目：20

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB202602;2006CB202603;天津市应用基础及前沿技术研究计划09JCYBJ036900;天津市科技攻关项目06YFGZGX02100

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1599-1601