140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器

摘要：

为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度.将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散热路径,降低器件的热阻,从而有效抑制了器件的热饱和.设计并制作了非对称宽波导980 nm高功率LD.器件的综合测试性能为:当器件的注入电流为161 A时,器件的输出功率达到139.6 W,对应的斜率效率、电压和电光转换效率分别为0.91 W/A、1.79 V和48.4%.

关键词：半导体激光器(LD)、高功率、非对称宽波导、P型波导层厚度

所属期刊栏目：20

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目ISCAS2008T12

在线出版日期：2010-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1310-1313