表面粗化对GaN基垂直结构LED出光效率的影响

摘要：

用加热后的KOH水溶液腐蚀GaN材料的N极性面,用以提高CaN基垂直结构发光二极管(LED)的出光效率.经过湿法腐蚀后,构成N极性面的表面晶粒尺寸和密度成为影响垂直结构LED提取效率的主要因素,通过分析不同腐蚀条件下晶粒尺寸和密度与出光效率间的关系,得到最优化的粗化条件,使得器件的提取效率达到最佳.经由浓度为30%、温度为60℃的KOH溶液腐蚀后,末封装的垂直结构LED芯片的提取效率增加了近1倍.

关键词：垂直结构发光二极管(LED)、GaN、湿法刻蚀、提取效率

所属期刊栏目：20

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划

在线出版日期：2009-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：994-996