氧分压对电子束蒸发TiO2薄膜残余应力的影响

摘要：

采用电子束蒸发法制备了单层TiO2薄膜.控制O2流量从10 mL/min以步长10 mL/min递增至50 ml/min(标况下).利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面型变化;采用Stoney公式计算出残余应力,分析了不同O2压下残余应力的变化.在本实验条件下,TiO2薄膜的应力随O2的增大,张应力先增大后减小;随O2压继续增大,由张应力逐渐过渡到压应力;O2压过大时,压应力减小.因此,可以通过改变O2压来控制薄膜的应力.应力的变化与薄膜的微观结构密切相关,分析了所有样品的X射线衍射(XRD)谱发现,薄膜结构均为非晶态.

关键词：TiO2薄膜、残余应力、O2分压、电子束蒸发

所属期刊栏目：20

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：山东省教育厅资助项目J05C04

在线出版日期：2009-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：642-644