10.3321/j.issn:1005-0086.2009.05.017
单室沉积本征微晶硅薄膜及其在电池中的应用
为获得单室沉积高效微晶硅(μc-Si)太阳电池,首先采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同沉积条件下的本征μc-Si薄膜.通过对材料的结构和电学输运特性的研究,借鉴分室沉积的器件质量级μc-Si材料的经验,选取合适的本征层和P种子层处理B污染的技术,在单室中制备出光电转换效率为6.23%(1 cm2)的单结μc-Si电池.
单室、甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)、本征微晶硅(μc-Si)、太阳电池
20
TN304.1(半导体技术)
国家高技术研究发展计划(863计划);国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;国际合作重点项目;新世纪优秀人才支持计划
2009-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
637-641