Cl2/H2刻蚀优化及其在1.55μDFB激光器制作中的应用

摘要：

采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法.结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15 mA和0.3 mW/mA,边模抑制比大于45 dB.寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106 h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性.

关键词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀、金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)、分布反馈(DFB)激光器、可靠性

所属期刊栏目：20

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划（863计划）;国家重点基础研究发展计划（973计划）

在线出版日期：2009-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：583-586