Ta衬底B掺杂金刚石薄膜电极极化特性

摘要：

研究了热丝化学气相沉积(HFCVD)方法在Ta衬底上制备B掺杂金刚石(BDD/Ta)薄膜电极的极化特性.扫描电镜(SEM)和Raman光谱显示,BDD/Ta薄膜电极具有较好的成膜质量.电化学测试表明,BDD/Ta薄膜电极具有比常规电极如Pt、IrO2和RuO2更宽的电势窗口,在Na2SO4溶液中的电势窗口为4.1 V(-1.8V～+2.3 V vs SCE),电势窗口受沉积C源浓度和支持电解液PH值的影响.BDD/Ta薄膜电极在”Fe(CN)6”3-/4-体系中电化学反应具有良好的准可逆性,其动力学主要是受扩散过程所控制.紫外-可见吸收光谱显示,BDD/Ta薄膜电极能够有效阳极电催化降解苯酚,降解过程中化学需氧量(COD)去除率达98.6%.

关键词：B掺杂金刚石(BDD)、电极材料、化学气相沉积(CVD)、循环伏安、交流阻抗、电化学高级氧化技术

所属期刊栏目：20

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：天津市重大科技攻关资助项目06YFGZGX00300;天津市薄膜电子及通信器件重点实验室基金06TXTJJC14700

在线出版日期：2009-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：479-483