基片温度对电子束蒸发的ZnS薄膜性能的影响

摘要：

采用电子束蒸发在不同基片温度下沉积ZnS薄膜,研究了基片温度对薄膜性能的影响.结果表明:不同基片温度下沉积的ZnS薄膜均呈多晶状态,为体心立方(闪锌矿)结构的β-znS,并具有明显的(111)面择优取向,导电类型为n型.随着成膜时基片温度的提高,薄膜结晶度越来越好,透过率增大,载流子浓度增大,而电阻率减小.

关键词：ZnS薄膜、性能、电子束蒸发、基片温度

所属期刊栏目：20

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：教育部留学回国人员科研启动基金LXKQ0801;福建省科技厅重点项目200810019;福建省教育厅资助项目JB08012

在线出版日期：2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：355-358