快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响

摘要：

用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析.结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240 s时间内,ITO电阻率随RTA时间的增加而单调降低,霍尔测试结果表明影响电阻率的主要原因是载流子的迁移率.RTA处理对ITO膜的光透过率有一定的改善作用,并且使膜的折射率上升.

关键词：电子束蒸镀、ITO、快速热退火(RTA)、电阻率、折射率

所属期刊栏目：20

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB604902;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A121;北京市人才强教计划05002015200504

在线出版日期：2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：346-349