快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1005-0086.2009.03.017

快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响

引用
用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析.结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240 s时间内,ITO电阻率随RTA时间的增加而单调降低,霍尔测试结果表明影响电阻率的主要原因是载流子的迁移率.RTA处理对ITO膜的光透过率有一定的改善作用,并且使膜的折射率上升.

电子束蒸镀、ITO、快速热退火(RTA)、电阻率、折射率

20

O484(固体物理学)

国家重点基础研究发展规划973计划2006CB604902;国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A121;北京市人才强教计划05002015200504

2009-07-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

346-349

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

光电子.激光

1005-0086

12-1182

20

2009,20(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn