过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

摘要：

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区P层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中.通过调整P层的沉积参数,获得不同P层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区P层.实验发现,电池的开路电压Voc随P层siH4浓度的增加先增加后降低,当P层处在过渡区时达到最大;P层处在过渡区时电池的短路电流k和填充因子FF都得到了不同程度的提高.在p/I界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc.在过渡区P层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5 nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc-0.89 V,Jsc=12.90 mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池.比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者.

关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)、过渡区P层、非晶硅、P-a-SiC:H

所属期刊栏目：20

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家自然科学基金;国家科技计划

在线出版日期：2009-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：333-336