氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响

摘要：

采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的品体结构及光电性能的影响.当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的品体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(Ts=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方向填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O”2,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大.

关键词：ITO薄膜、反应热蒸发、氧分压、散射机制

所属期刊栏目：20

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB202602;2006CB202603;天津市科技发展规划资助项目06YFGZGX02100;天津市国家科技计划配套资助项目07QTPTJC29500;天津市自然科学基金06YFJZJC01700

在线出版日期：2009-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：44-48