半导体激光器阵列的远场分布模型和分布特性研究

摘要：

从亥姆霍兹方程出发,以单管半导体激光器(LD)分布特性为基础,提出了半导体激光器阵列(LDA)远场分布模型,模型理论仿真结果与LDA实际测试数据符合地很好,实验结果表明:在LDA能量分布95%的主要区域内,该理论模型拟合测量数据的误差小于5%.且理论模型和实验结果同时证明:在传输距离达到一定值后,LDA光束截面的光强分布在平行结平面方向一直呈双峰结构.

关键词：半导体激光器阵列、远场分布模型、光强分布

所属期刊栏目：19

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60774056

在线出版日期：2008-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1304-1308