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10.3321/j.issn:1005-0086.2008.10.005

具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管

引用
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高.粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性.可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率.

表面粗化、金属纳米掩膜、干法刻蚀

19

TN312+.8(半导体技术)

国家"973"计划资助项目2006CB604902;国家"863"计划资助项目2006AA03A121;北京市人才强教计划资助项目05002015200504

2008-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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光电子.激光

1005-0086

12-1182

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2008,19(10)

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