10.3321/j.issn:1005-0086.2008.10.005
具有纳米级结构出光面的AlGaInP基发光二极管
研究了一种利用金属自组装纳米掩膜和ICP刻蚀对AlGaInP基发光二极管(LED)表面进行粗化的技术,使光输出得到了提高.粗化了的AlGaInP基LED比常规的AlGaInP基LED,光强提高了27%,光功率提高了12.6%,实验结果具有可重复性.可以进一步优化Au颗粒的周期和分散程度,提高AlGaInP基LED的提取效率.
表面粗化、金属纳米掩膜、干法刻蚀
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TN312+.8(半导体技术)
国家"973"计划资助项目2006CB604902;国家"863"计划资助项目2006AA03A121;北京市人才强教计划资助项目05002015200504
2008-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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