10.3321/j.issn:1005-0086.2008.07.012
两步合金法制作p-GaN高反电极
利用两步合金法获得了能与p-GaN形成良好欧姆接触的高反射电极.电极的构成采用透明电极+高反射金属方案,厚的Ag层或Al层覆盖在合金后的Ni/Au上以提高电极的反射率,以Pt和Au作为覆盖层,可有效地防止Ag的氧化和团聚,短时间的热处理有助于Ag基电极反射率的提高.可靠性测试表明Ag基电极的稳定性较好,对于Al基电极,热处理后反射镜上出现暗斑,导致其反射率的下降.最终获得了波长在460nm处反射率为74%的Ag基高反射电极.
p型GaN、欧姆接触、两步合金法、高反射电极
19
TN312+.8(半导体技术)
2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
902-904