U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制

摘要：

为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器.5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍.文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5 μm和10 μm器件光电响应的不同.

关键词：金属-半导体-金属结构、光电响应度、探测器

所属期刊栏目：19

分类号：TN365(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60576001,60336010,60676027;福建省自然科学基金资助项目A0410008

在线出版日期：2008-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：869-871,894