10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.018
YAGG:Tb,Gd荧光薄膜及其发光性能的研究
用电子束蒸发方法在ITO基片上生长YAGG:Tb,Gd荧光薄膜,并经不同条件下退火处理.分别用X射线衍射、X 射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光谱,表征YAGG:Tb,Gd荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能.实验表明随着温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的光致发光性能,同时发现光致发光谱中的谱线加宽.
YAGG:Tb、Gd、荧光薄膜、电子束蒸发、退火处理
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O484.4+1(固体物理学)
国家"973"计划资助项目2003CB314906;天津市自然科学基金资助项目07JCYBJC06400
2008-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
636-639,643