MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

摘要：

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.

关键词：红光发光二极管、隧道结、金属有机物化学气相沉积

所属期刊栏目：19

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化资助项目D0404003040221

在线出版日期：2008-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：591-594