10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.006
硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析
利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105 cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层.Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的张应变,应变大小约为0.2%.以外延的Ge层为吸收区、在硅基上制备了台面面积为195×150 μm2的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器.在-1 V偏压下,暗电流为2.4×10-7 A;在零偏压下,光响应波长范围扩展到1.6 μm以上.
Ge、弛豫缓冲层、MSM光电探测器
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TH867+.91
国家自然科学基金资助项目60676027,50672079;福建省重点科技资助项目2006H0036;国家重点基础发展研究计划资助项目2007CB613404;教育部回国留学人员启动基金
2008-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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