10.3321/j.issn:1005-0086.2008.05.003
具有双绝缘层的有机薄膜晶体管
为了提高SiO2单绝缘层器件的性能,在SiO2绝缘层的表面用旋涂的方法制备一层大约50 nm厚度的PMMA.实验结果表明用无机/有机双绝缘层可以有效的提高器件的性能同时降低器件的漏电流.计算出了载流子迁移率和开关电流比,基于PMMA/SiO2双绝缘层器件的载流子迁移率和开关电流比分别是4.0×10-3cm2/Vs和104.
有机薄膜晶体管、迁移率、PMMA、开关电流比
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TN386.2(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目90202034,60477014,60577041;国家"973"资助项目2002CB613400
2008-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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577-580