利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率

摘要：

计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析.

关键词：光子晶体、GaN、LED、ICP

所属期刊栏目：19

分类号：TN312+.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60345008,60537010,60377011;国家高技术研究发展计划重大资助项目2006AA03A114

在线出版日期：2008-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：569-572