ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响

摘要：

用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450～700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射.

关键词：光致发光(PL)、白光、脉冲激光沉积(PLD)、ZnS、多孔硅(PS)

所属期刊栏目：19

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：山东省自然科学基金Y2002A09

在线出版日期：2008-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：490-492