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10.3321/j.issn:1005-0086.2008.04.016

基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究

引用
利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜.利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化.结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8 Ω·cm、迁移率为0.05 cm2·V-1·s-1、载流子浓度是2.86×1018 cm-3.

超声雾化热分解法、N-Al共掺ZnO、p型ZnO

19

O484(固体物理学)

国家自然科学基金60506003;天津市自然科学基金05YFJMTC01600;南开大学校科研和教改项目J02031;科技部国际科技合作项目2006DFA62390;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603;新世纪优秀人才支持计划

2008-06-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

482-485

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光电子.激光

1005-0086

12-1182

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2008,19(4)

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