10.3321/j.issn:1005-0086.2008.04.009
宽反射角DBR红光发光二极管
对用于提高AlGaInP红光发光二极管出光效率的传统DBR进行了分析,用MOCVD生长了包含对垂直入射光反射的DBR和对斜入射光反射的DBR复合在一起的红光LED,在20 mA注入电流下,LED的峰值波长为630 nm,轴向光强达到137 mcd,输出光功率为2.32 mW.与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高.
红光发光二极管、分布布拉格反射镜、金属有机物化学气相沉积
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TN383(半导体技术)
北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化资助项目D0404003040221
2008-06-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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