低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性

摘要：

测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度.实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小,实验中并未发现g-r噪声.结合低偏置电流时激光器动态电阻的大小,给出了1/f噪声的模型,分析了在低偏置电流下的1/f噪声主要来自有源区和漏电电阻,其幅度的大小及其随偏置电流的变化趋势与激光器的可靠性有密切的关系.

关键词：半导体激光器、1/f噪声、g-r噪声、可靠性、动态电阻

所属期刊栏目：19

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60471009;吉林省重大科技发展计划200403001-4

在线出版日期：2008-06-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：449-452