CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

摘要：

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.

关键词：CIGS、OVC(ODC)、(In、Ga)2Se3预制层、富Cu、富In(Ga)、三步共蒸发

所属期刊栏目：19

分类号：TB333(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金60576011;国家高技术研究发展计划863计划2004AA513021;天津市教委资助项目20060607

在线出版日期：2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：348-351