高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

摘要：

利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响.理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益.按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合.

关键词：InGaAs/GaAsP、应变补偿、垂直腔面发射激光器(VCSEL)

所属期刊栏目：19

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60636030/F0403

在线出版日期：2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：304-307