InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

摘要：

根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.

关键词：异质结双极晶体管(HBT)、小信号电路模型、晶体管高频放大器、稳定性

所属期刊栏目：19

分类号：TN324+.1;TN722(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CBV314901;国家自然科学基金60576018;教育部跨世纪优秀人才培养计划NCEN-05-0111;北京市教委共建项目XK100130637

在线出版日期：2008-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：296-299