10.3321/j.issn:1005-0086.2008.03.001
InP基PIN+HBT光电集成器件的设计与研制
对用于光电集成电路(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)及PIN探测器进行了设计与研制,讨论了堆叠层结构和共享层结构2种常见的集成方式,通过实验比较,确定了共享层结构器件性能更好,并对此结构进行了改进.所研制的HBT截止频率达到30 GHz,直流增益达到100;PIN的3 dB带宽达到了15 GHz.详细介绍了器件结构及工艺流程.
光电集成电路(OEIC)、异质结双极性晶体管(HBT)、PIN
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TN256(光电子技术、激光技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314900;国家自然科学基金60576018;教育部跨世纪优秀人才培养计划NCET-05-0111
2008-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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