2.5 Gb/s GaAs PIN/PHEMT单片集成光接收机前端

摘要：

采用0.5 μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850 nm光接收机前端. 探测器光敏面直径为30 μm,电容为0.25 pF,10 V反向偏压下的暗电流小于20 nA.分布放大器-3 dB带宽接近20 GHz,跨阻增益约46 dBΩ;在50 MHz～16 GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03～6.50 dB之间.单片集成光接收机前端在1.0和2.5 Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图.

关键词：PIN光探测器、分布放大器、光接收机、眼图

所属期刊栏目：19

分类号：TN929.11

资助基金：国家自然科学基金60277008;国家重点实验室基金51491050105DZ0201

在线出版日期：2008-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：191-195