聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管

摘要：

以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET).测试表明,在源漏电压为70 V时,器件的载流子迁移率μ为0.079 cm2/V·s,器件的开关电流比为1.7×104.

关键词：有机场效应晶体管(OFET)、并五苯、迁移率、聚酰亚胺

所属期刊栏目：19

分类号：TN321(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60676033

在线出版日期：2008-05-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：161-163