高速沉积μc-Si:H薄膜生长机制及其微结构的研究

摘要：

采用高压高功率的超高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,在腐蚀后的7059玻璃、低晶化和高晶化的微晶硅(μc-Si:H)p型材料3种衬底上,通过改变沉积时间的方法,高速(沉积速率约为1 nm/s)沉积了不同厚度的μc-Si:H薄膜材料.测试其表面形貌及晶化率,比较了不同衬底上高速生长的μc-Si:H薄膜生长机制及微结构的差异,最后得到适于高速沉积pin μc-Si:H太阳电池的μc-Si:H p型材料应具备的条件.

关键词：微晶硅薄膜(μc-Si:H)、微结构、纵向均匀性、衬底形貌

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分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603

在线出版日期：2008-03-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-57