10.3321/j.issn:1005-0086.2007.10.009
n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器
采用直流反应溅射法,在一定的溅射功率和衬底温度等条件下控制气体组分,优选Ar:O2=8:1成功研制出高响应度n-ZnO/p-Si紫外至近红外增强型广谱光探测器.实验关键是利用缺O法在n-ZnO薄膜内有效引入O缺位Vo,而Vo可增强紫蓝波段的光响应.测试结果显示,ZnO薄膜的光致发光(PL)谱除在388 nm处存在紫外带边发射主峰外,还在416 nm处出现由O缺位导致的发射峰;X射线衍射(XRD)谱表明,薄膜中的晶体为高c轴取向的纤锌矿结构;n-ZnO/p-Si光探测器在光照时I-V特性显示,光电流随反向偏压的增加迅速上升;在5 V的反向偏压下,紫外区(310~388 nm)的光响应高达0.75~1.38 A/W,紫蓝光区(400~430 nm)的光响应大大增强,400~800 nm波段的光谱响应稳定在0.90 A/W.
直流反应溅射、n-ZnO/p-Si异质结、光探测器、光响应
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TN366(半导体技术)
2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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